パワー半導体を基礎から学ぶ教科書『はじめてのパワー半導体デバイス』単行本版が発売

公開 2026.11.02

インプレスグループで理工学分野の専門書出版を手がける株式会社近代科学社は、2026年10月31日、近代科学社Digitalレーベルから単行本版『はじめてのパワー半導体デバイス』の発売を開始しました。著者は岩室憲幸氏です。

近代科学社Digitalは、近代科学社が著者とプロジェクト方式で協業するオンデマンド型の出版レーベルです。デジタルを駆使し、デジタルパワーを積極的に活用することで、スピーディで持続可能な出版モデルを提案する21世紀型の理工系出版レーベルとして展開されています。

電動化やAIの時代に重要性が増すパワー半導体

モビリティの電動化、フィジカルAI、AIデータセンターの増設など、技術をとりまく環境は大きく変化しています。そうしたなかで、電力供給の高効率化や省エネルギー化を担う存在として、パワー半導体デバイスの重要性が増しています。

本書は大学の講義資料をもとにしており、大学・高等専門学校の学生や企業の若手技術者に向けた教科書となることを意図して構成されています。pn接合やMOS構造といった基本原理から、MOSFETやIGBTの動作原理、さらにSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体材料の物性特性プロセス技術までを詳しく解説しています。最前線の技術課題に直結する基礎知識を体系的に修得し、次世代の学術基盤を構築するための一冊とされています。

EV・太陽光・データセンターでの役割から始まる目次

第1章ではパワー半導体がEV・太陽光・データセンタでどう使われるのかを扱い、そこから基本原理、シリコンデバイス、ワイドバンドギャップ半導体へと進んでいきます。第2章以降の各章には演習問題が用意され、巻末には解答と索引が収録されています。章立ては次のとおりです。

第1章パワー半導体はEV・太陽光・データセンタでどう使われるのか
第2章パワー半導体デバイスの基本——pn接合、金属半導体接合、そしてMOS 構造
第3章パワー半導体デバイスの種類と特徴
第4章シリコン MOSFET
第5章シリコン IGBT
第6章シリコン MOSFET ならびに IGBTの作製プロセス
第7章ワイドバンドギャップ半導体が優れる理由
第8章ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス①―SiC パワー半導体デバイス―
第9章ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス ②―GaNパワー半導体デバイス―

著者・岩室憲幸氏のプロフィール

岩室憲幸（いわむろのりゆき）氏は1962年東京都板橋区生まれ。1984年に早稲田大学理工学部電気工学科を卒業し、同年に富士電機株式会社へ入社しました。1988年からはシリコンIGBT、ダイオードならびにSiCデバイスの研究開発と製品化に従事。1992-93年には米国North Carolina State University, Power Semiconductor Research Centerで客員研究員を務め、1998年に博士（工学）（早稲田大学）を取得しています。

2009年からは(国)産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターでSiCパワーデバイス量産化技術開発に携わり、2013年4月から筑波大学数理物質系物理工学域教授を務め、現在に至ります。専門はシリコンならびにSiCパワーデバイスの設計ならびに評価・解析です。電気学会上級会員、応用物理学会会員、IEEE Senior Memberでもあります。

これまでに『車載機器におけるパワー半導体の設計と実装』（科学情報出版株式会社、2019年9月）、『パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス』（科学情報出版株式会社、2024年2月）を著したほか、S＆T出版株式会社、株式会社シーエムシー出版、株式会社エヌ・ティー・エスの書籍で監修を担当。Woodhead Publishingの“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices”やSpringer International Publishingの“Springer Handbook of Semiconductor Devices”でも章を執筆しています。